屏蔽效能分析

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1、一二三一一 屏蔽效能的计算屏蔽效能的计算屏蔽有两个目的屏蔽有两个目的: : 一是限制屏蔽体内部的电磁骚扰越一是限制屏蔽体内部的电磁骚扰越出某一区域出某一区域; ; 二是防止外来的电磁干扰二是防止外来的电磁干扰( (骚扰骚扰) )进入屏蔽体进入屏蔽体内的某一区域。内的某一区域。 屏蔽体一般有屏蔽体一般有实芯型实芯型、 非实芯型非实芯型( (例如例如, , 金属网金属网) )和和金属编织带金属编织带等几种类型等几种类型, , 后者主要用作电缆的后者主要用作电缆的屏蔽。各种屏蔽体的屏蔽效果均用该屏蔽体的屏蔽。各种屏蔽体的屏蔽效果均用该屏蔽体的屏蔽效能屏蔽效能来来表示表示。 屏蔽效能屏蔽效能表现了屏蔽

2、体对电磁波的表现了屏蔽体对电磁波的衰减程度衰减程度。 由于屏由于屏蔽体通常能将电磁波的强度衰减到原来的蔽体通常能将电磁波的强度衰减到原来的百分之一百分之一至至万分万分之一之一, , 因此通常用分贝因此通常用分贝(dB)(dB)来表述。来表述。 一般的屏蔽体的屏蔽一般的屏蔽体的屏蔽效能可达效能可达40 dB40 dB, , 军用设备的屏蔽体的屏蔽效能可达军用设备的屏蔽体的屏蔽效能可达60 dB60 dB, , TEMPESTTEMPEST设备的屏蔽体的屏蔽效能可达设备的屏蔽体的屏蔽效能可达80 dB80 dB以上。以上。屏蔽前的场强屏蔽前的场强E0 , H0屏蔽后的场强屏蔽后的场强Es , Hs

3、 对于屏蔽作用的评价可以用对于屏蔽作用的评价可以用屏蔽效能屏蔽效能来表示来表示: : 对电场对电场 )()(lg200有屏蔽无屏蔽sEEESE 对磁场对磁场 )()(lg200有屏蔽无屏蔽sHHHSE屏蔽效能屏蔽效能SESE越越大大，表示屏蔽效果越，表示屏蔽效果越好好。 SESE越大，屏越大，屏蔽效果越？蔽效果越？ 另外另外, , 还可以用还可以用传输系数传输系数( (或透射系数或透射系数) )TE表示屏蔽效果表示屏蔽效果, , TE是指存在屏蔽体时某处的电场强度是指存在屏蔽体时某处的电场强度ES与不存在屏蔽体时同与不存在屏蔽体时同一处的电场强度一处的电场强度E0之比之比; ; 或者是指存在屏

4、蔽体时某处的磁场或者是指存在屏蔽体时某处的磁场强度强度HS与不存在屏蔽体时同一处的磁场强度与不存在屏蔽体时同一处的磁场强度H0之比之比, , 即即: :S0T=EES0T=HH传输系数传输系数( (或透射系数或透射系数) )与屏蔽效能互为倒数关系与屏蔽效能互为倒数关系, , 即即EEHH120lg120lgSETSET或或入射波入射波场强场强距离距离吸收损耗吸收损耗ARBSE R ABB 完整屏蔽体是指一个完全封闭的屏蔽结构，电磁场只有穿完整屏蔽体是指一个完全封闭的屏蔽结构，电磁场只有穿过屏蔽体壁才能出入该封闭结构。过屏蔽体壁才能出入该封闭结构。 二二 完整完整屏蔽体的屏蔽效能屏蔽体的屏蔽效能

5、AR1 1电磁波的反射损耗电磁波的反射损耗电磁波传播到不同介质分界面发生反射与透射电磁波传播到不同介质分界面发生反射与透射Z: :特性阻抗特性阻抗电磁波穿过屏蔽体时的反射与透射：电磁波穿过屏蔽体时的反射与透射：一般一般ZlZ2 反射损耗反射损耗|4|lg2021ZZR Z1为干扰场的为干扰场的特性阻抗特性阻抗, 即即自由空间波自由空间波阻抗阻抗 在远场（）平面波的情况下在远场（）平面波的情况下 Z1=120=377()2r 在低阻抗磁场源的近场（）在低阻抗磁场源的近场（）2rZ1=)120(2r 在高阻抗电场源的近场（）在高阻抗电场源的近场（）2r)120(2rZ1=12r2 2电磁波的吸收损

6、耗电磁波的吸收损耗 电磁波到达屏蔽体的穿出面时电磁波到达屏蔽体的穿出面时电场强度电场强度磁场强度磁场强度/0etEE/0etHH屏蔽体的吸收损耗屏蔽体的吸收损耗teAt69. 8lg201 242f f 越大，吸收越大，吸收损耗越？损耗越？ 从上式可以看出从上式可以看出, 在频率在频率f 较高时较高时, 吸收损耗是相当吸收损耗是相当大的，大的，表表2-1 给出几种常用金属材料在吸收损耗分别给出几种常用金属材料在吸收损耗分别为为A=8.68 dB、20 dB、40 dB时所需的屏蔽平板厚度时所需的屏蔽平板厚度t。 表表2-1 几种金属的电导率几种金属的电导率、 磁导率磁导率及所需屏蔽厚度及所需屏