模拟电子技术基础期末试题(西安交大)

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1、模电试题三、计算题(每题10分，共60分)1某放大电路输入电阻Ri10k，如果用1A电流源驱动，放大电路短路输出电流为10mA，开路输出电压为10V。求放大电路接4k负载电阻时的电压增益Av、电流增益Ai、功率增益Ap。2二极管电路如图题所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO两端电压VAO。设二极管是理想的。3电路如图题所示，设BJT的80，VBE06 V，ICEO、VCES可忽略不计，试分析当开关S分别接通A、B、C三位置时，BJT各工作在其输出特性曲线的哪个区域，并求出相应的集电极电流Ic。4电路参数如图所示，FET工作点上的互导gm1 ms，设rd>>Rd。 (1

2、)画出电路的小信号模型；(2)求电压增益Av；(3)求放大器的输入电阻Ri。5电路如图所示，假设运放是理想的，试写出电路输出电压Vo的值。6由运放组成的BJT电流放大系数的测试电路如图所示，设BJT的VBE07 V。(1)求出BJT的c、b、e各极的电位值；(2)若电压表读数为200mV，试求BJT的值。一、选择题(每题2分，共20分)（1）PN结加正向电压时，PN结将 。A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽（2）稳压管的稳压区是其工作在 。A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿（3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反

3、偏 C. 前者正偏、后者也正偏（4）在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体。A. 五价 B. 四价 C. 三价（5）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。A. 增大 B. 不变 C. 减小（6）工作在放大区的某三极管，如果当IB从12A增大到22A时，IC从1mA变为2mA，那么它的约为 。A. 83 B. 91 C. 100（7）已知变压器副边电压有效值U2为10V，采用桥式整流RLC3(T/2)（T为电网电压的周期）。测得输出电压平均值UO可能的数值为A. 14V B. 12V C. 9V D. 4.5V（8）功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载

4、上可能获得的最大 。A交流功率 B直流功率 C交直流功率（9）功率放大电路的转换效率是指 。A输出功率与晶体管所消耗的功率之比B最大输出功率与电源提供的平均功率之比C晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比（10）在OTL乙类功放电路中，若最大输出功率为1W，则电路中功放管的集电极最大功耗约为 。A1W B0.5W C0.2W二、判断题(每题2分，共20分)（1）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）（2）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）（3）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（）（4）若耗尽型N沟道MOS管的U