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Lecture27第六章等效电路,影响阈值电压的因素
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Outline
1. 等效电路和频率响应
2. MOSFET的类型
3. 影响阈值电压的其他因素
（1）掺杂浓度和氧化层厚度
（2）衬底偏置
MOSFET的小信号特性是指在一定工作点上，输出端电流的微小变化与输入端电压的微小变化之间有定量关系。这是一种线性变化关系，可以用线性方程组描述小信号特性，其中不随信号电流和信号电压变化的常数即小信号参数。
一、等效电路和频率相应
（1）线性导纳(漏源输出电导)
在线性区的电阻称为开态电阻或导通电阻，可表示为：
1.1 小信号参数
可忽略
在VDS较小时，gdl与VDS无关。随着VDS的增大，但还未到饱和区，gdl将会减小。此时有：
不可忽略
2、温度增加，斜率的减小，是在高温下迁移率下降造成的
1、低栅压下gd随栅压线性变化，高栅压下的不同特性主要是由于高表面载流子浓度时迁移率下降造成的
在不考虑沟道长度调变效应时，IDS与VDS 无关。饱和工作区的gds为零，即输出电阻为无穷大。
（2）饱和区漏源输出电导
饱和区的漏极电阻
理想情况下，对于任何超过夹断条件的漏极电压，漏极电流为常数（电流与电压无关）。即对于VD>VDsat时的情况，漏极电阻为无限大。饱和区漏极电阻定义为：
饱和区漏极电阻可用作图法从漏极特性中求得
对于实际MOSFET，饱和区输出特性曲线总有一定的倾斜，使输出电导不等于零，即输出电阻不为无穷大。
当(VGS-VTH)增大时，gds增大。当VDS增加时，gds也增大，使输出电阻下降。
1.3 频率特性
截止频率f0定义为MOSFET的输入电流和输出电流相等时的频率，即器件输出短路时，器件不能够放大输入信号时的频率。
总的栅电容
截止频率：
在饱和区：